美国堪萨斯州立大学开发出新的低噪音高性能晶体管
【据美国堪萨斯州立大学网站2018年12月18日报道】目前，将原子尺度的二维材料用于制造下一代晶体管很有前途，因为晶体管能表现出高性能，在未来可能取代硅电子器件。然而，这种新型材料中固有的电子噪声是一大缺陷。电子噪声在所有的设备和电路中都是普遍存在的。当材料变得原子般薄时，噪声会恶化。
最近，美国堪萨斯州立大学工业和制造系统工程助理教授Suprem Das与普渡大学的研究人员合作研究了一种新型的低噪音和高性能晶体管。研究人员发现，如果能够控制晶体管的厚度在10到15个原子厚度之间，那么该器件不仅能表现出高性能，而且还能体验到非常低的电子噪音。因此，在该研究中由二维原子薄材料MoSe2制成的微/纳米级晶体管具有高性能和低噪声的特点。这种设备的直径不到一根头发直径的百分之一，可能成为创新电子产品和精确传感器的关键。这一独特的发现对于利用一些新兴的二维材料在电子和传感领域建立其他可行技术至关重要。
相关研究论文《Correlating Electronic Transport and 1/f Noise in MoSe2 Field-Effect Transistors》发表在Physical Review Applied上。
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